格科微申请高性能鳍式晶体管及其形成方法专利提高鳍式晶体管的跨导

时间：2026-02-06 08:14:01    点击量：

　　国家知识产权局信息显示，格科微电子（上海）有限公司申请一项名为“高性能鳍式晶体管及其形成方法”的专利，公开号CN121442720A，申请日期为2024年7月。

　　专利摘要显示，本发明公开了一种高性能鳍式晶体管及其形成方法，该方法包括：在所述鳍式晶体管沟道下方形成第一离子掺杂阱区，以及沿所述鳍式晶体管沟道长度方向，在所述鳍式晶体管栅极两端边界位置形成第二离子掺杂阱区，使所述第一离子掺杂阱区和所述第二离子掺杂阱区包围的所述鳍式晶体管沟道为低掺杂浓度的沟道，在相同的鳍式晶体管的开启电压下，提高所述鳍式晶体管的跨导。

　　天眼查资料显示，格科微电子（上海）有限公司，成立于2003年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6259.722万美元。通过天眼查大数据分析，格科微电子（上海）有限公司共对外投资了15家企业，参与招投标项目13次，财产线条，此外企业还拥有行政许可44个。

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