德州仪器申请含在沟道构形上具有受控掺杂剂轮廓的波纹沟道结构的集成电路专利 跨越水平平面具有基本上均匀的掺杂剂分布轮廓

时间：2026-02-06 08:13:52    点击量：

　　金融界2025年8月5日消息，国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“含在沟道构形上具有受控掺杂剂轮廓的波纹沟道结构的集成电路(IC)”的专利，公开号CN120417473A，申请日期为2024年12月。

　　专利摘要显示，本公开涉及一种含在沟道构形上具有受控掺杂剂轮廓的波纹沟道结构的集成电路IC。集成电路IC装置(400)包含形成于半导体衬底(402)中或上方的一或多个波纹沟道结构(404)，其中波纹沟道结构(404)包含第一侧壁(422A)、第二侧壁(422B)和顶表面(424)。在实例中，所述波纹沟道结构(404)跨越从所述第一侧壁(422A)到所述第二侧壁(422B)的水平平面具有基本上均匀的掺杂剂分布轮廓。

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