湖南国芯半导体申请氮化镓器件及其制备方法专利提高器件耐压能力

时间：2026-02-06 08:15:03    点击量：

　　国家知识产权局信息显示，湖南国芯半导体科技有限公司申请一项名为“一种氮化镓器件及其制备方法”的专利，公开号CN121398063A，申请日期为2025年11月。

　　专利摘要显示，本发明涉及氮化镓器件技术领域，特别涉及一种氮化镓器件及其制备方法。氮化镓器件由下至上依次包括：衬底；缓冲层；GaN沟道层；AlGaN势垒层；栅极；源极；漏极；在所述栅极靠近漏极侧面的竖直方向投影处，缓冲层对应有一厚度落差，其靠近漏极侧区域厚度小于靠近源极侧区域厚度；在所述缓冲层栅漏区域，有一GaN沟道掺杂区。针对氮化镓器件栅极区域和栅漏区域在工作时的不同电场分布，进行对应的GaN沟道层厚度设计，提升器件栅控能力，减少关态漏电；在栅漏区域下方投影的GaN沟道层特定位置制备GaN掺杂区，通过调整器件关断状态下的耗尽层空间电荷密度及分布，均匀化电场分布，降低电场峰值，提高器件耐压能力。

　　天眼查资料显示，湖南国芯半导体科技有限公司，成立于2018年，位于株洲市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，湖南国芯半导体科技有限公司参与招投标项目5次，财产线条，此外企业还拥有行政许可3个。

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