浙江创芯申请半导体结构及其形成方法专利进一步提高半导体器件的开电流

时间：2026-02-06 08:13:20    点击量：

　　金融界2025年7月25日消息，国家知识产权局信息显示，浙江创芯集成电路有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN120379321A，申请日期为2025年04月。

　　专利摘要显示，本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法，包括：提供基底，包括第一区、与所述第一区相连接的第二区；在所述第一区依次形成堆叠的第一源极层、第一沟道层和第一漏极层，以形成第一叠层；在所述第二区依次形成堆叠的第二源极层、第二沟道层和第二漏极层，以形成第二叠层；在所述第一叠层与第二叠层之间形成有间隔凹槽；形成环绕覆盖所述间隔凹槽侧壁和底部的栅介质层；形成环绕覆盖所述栅介质层且填充所述间隔凹槽内的栅结构层。采用本申请实施例半导体结构的形成方法，可以进一步提高半导体器件的开电流。

　　天眼查资料显示，浙江创芯集成电路有限公司，成立于2020年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本182000万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目250次，财产线条，此外企业还拥有行政许可6个。

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