英诺赛科取得沟道饱和电流测试电路专利增大测试电路测量范围

时间：2026-02-06 08:13:00    点击量：

　　金融界2025年1月20日消息，国家知识产权局信息显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司取得一项名为“沟道饱和电流测试电路”的专利，授权公告号 CN 222354007 U，申请日期为 2024 年 3 月。

　　专利摘要显示，本说明书提供一种沟道饱和电流测试电路，包括：测量模块，包括若干组驱动电路，所述驱动电路之间并联连接，所述驱动电路包括测量单元和防倒灌单元，所述测量单元一端与防倒灌单元连接，所述测量单元的另一端连接到电源高端，所述防倒灌单元包括保护电阻，所述防倒灌单元的另一端与被测元件连接；抑制模块，连接在所述被测元件两端。通过并联测量电路增大了测量范围，在 DS 端串联电容抑制震荡实现稳定测量，在 pin 针上串联小电阻防止接触造成的电流不均匀。

　　天眼查资料显示，英诺赛科（苏州）半导体有限公司，成立于2017年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本370000万人民币，实缴资本320000万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（苏州）半导体有限公司参与招投标项目41次，知识产权方面有商标信息4条，专利信息216条，此外企业还拥有行政许可51个。

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